這款ALD設備是一款專為TGV（玻璃通孔）和TSV（硅通孔）等先進封裝技術設計的高性能鍍膜設備。
它能夠在玻璃或硅基板上精確沉積鈦、銅和氧化鋁等功能層，形成高質量的絕緣層和種子層，滿足先進封裝對可靠性和微結構精度的嚴格要求。
根據您的先進封裝需求定制的ALD 解決方案
專為先進封裝中的導電通孔、絕緣層和種子層而設計
精確控制和高度均勻性有助于減少缺陷并改善先進封裝創新和生產
支持更小尺寸、更多層級的先進封裝設計，助力技術迭代
原子層控制以滿足微米和納米級沉積需求
高密度、高保形涂層，實現均勻、可靠的覆蓋
| 基片尺寸 | 50~300mm | 200x200mm | φ300x400mm |
| 前驅體 | 可配置不同的前驅體 | ||
| 典型工藝 | Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, TiN, AIN, etc | ||
| 抽真空時間 | 8.0×10-2Pa≤25分鐘 | ||
| 沉積溫度 | 50~400C | ||
| 沉積速率 | 8 s/cycle | ||
| 均勻性 | ±1% | ||
| 選配臭氧源/等離子體源 | |||
