等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術
在等離子體增強化學氣相沉積技術中，等離子體有效促進了化學反應過程。借助等離子體的活化作用，工藝溫度可降至200-500℃區間內實現高質量薄膜制備，顯著降低了基體的熱負載壓力。
技術實現路徑
▌短程等離子體法
將等離子體激發區域設置在基片附近。但該方式存在的輻射與離子轟擊效應，可能對半導體硅片等敏感基材造成損傷。
▌遠程等離子體法
通過空間隔離設計，在等離子體與基片之間建立物理屏障。該方案既能有效保護基片，又可選擇性激活混合工藝氣體中的特定組分。需要注意的是，為確保活化粒子抵達基片表面時仍能有效引發化學反應，必須對工藝參數進行精密調控。
低溫CVD技術與應用
“低溫CVD”工藝具有廣泛的應用前景，匯成真空在此領域擁有深厚的技術積累。對于耐熱性較差的基材而言，PECVD工藝是一種理想的解決方案，例如可在塑料薄膜表面實現功能化鍍層的制備。
在半導體制造領域，PECVD技術能有效避免高溫工藝導致的摻雜輪廓破壞，因而獲得廣泛應用。該技術還可用于制備微電子器件所需的多種關鍵材料，包括多晶硅、氮化硅及氧化硅復合薄膜等。
HCVAC的PECVD設備支持根據客戶工藝指標進行定制化設計，我們常將PECVD工藝模塊集成于濺射設備中，以拓展系統綜合技術能力。憑借極具競爭力的設備價格與卓越的設備品質，我們致力于為客戶創造超乎預期的價值體驗。
