我們的TALD系統（熱原子層沉積）專為以下領域的精密薄膜鍍膜而設計：
太陽能：鈣鈦礦和晶體硅太陽能電池
微電子：MEMS、MLCC、SAW、BAW、SiC MOSFET
光電子：LED、Micro-LED、OLED、VECSEL、AR/VR
復雜部件：光學鏡頭、超黑涂層以及復雜金屬部件上的耐磨薄膜
……
即使在復雜的3D表面上，也能確保均勻、高質量的涂層。非常適合對深溝槽和高深寬比結構進行高精度、一致性的鍍膜。
根據您的需求定制的TALD 解決方案
非常適合深孔和高縱橫比結構
該薄膜極其致密，幾乎沒有針孔。
原子層控制以滿足微米和納米級沉積需求
自限性反應確保出色的可重復性和一致性
適合大面積均勻沉積或批量生產
| 基片尺寸 | 50~300mm | 200x200mm | φ300x400mm |
| 前驅體 | 可配置不同的前驅體 | ||
| 典型工藝 | Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, TiN, AIN, etc | ||
| 抽真空時間 | 8.0×10-2Pa≤25分鐘 | ||
| 沉積溫度 | 50~400C | ||
| 沉積速率 | 8 s/cycle | ||
| 均勻性 | ±1% | ||
| 選配臭氧源/等離子體源 | |||
